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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.39mm

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Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.43 /10
Votes :- 7
WIKA 232.50 Druckmessgerät Rückseitige Kabeleinführung Analog 0bar → 60bar, Ø 160mm G1/2
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatik und Hydraulik Druckanzeigen
  • Druckmessgeräte
  • WIKA
    • GEORGIN Zenerbarriere 2-kanalig ATEX 95,8mA max.

    GEORGIN Zenerbarriere 2-kanalig ATEX 95,8mA max.

    : +60°C, Betriebstemperatur min. 27,3V.: -20°C, Serie: BZG, Betriebstemperaturbereich: -20°C to 60°C, MPN: BZG2728PLUS GEORGIN Zenerbarriere 2-kanalig ATEX 95,8mA max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Signalwandler und -isolatoren
  • Trenn- und Zenerbarrieren
  • GEORGIN
    • Sick PBS Plus G1/4 Relativ Drucksensor 0bar bis 100bar, 2 x PNP/NPN-Schließer/Öffner, für, für Gas,

    Sick PBS Plus G1/4 Relativ Drucksensor 0bar bis 100bar, 2 x PNP/NPN-Schließer/Öffner, für, für Gas,

    Sick PBS Plus G1/4 Relativ Drucksensor 0bar bis 100bar, 2 x PNP/NPN-Schließer/Öffner, für, für Gas,, Genauigkeit: .

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Drucksensoren
  • Sick
    • SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 40mm, Aussen ø 62mm, 10mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 40mm, Aussen ø 62mm, 10mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 40mm, Aussen ø 62mm, 10mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 40X62X10 HMSA10 RG.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Dichtungen & Dichtungsmaterial
  • Dichtungen
  • SKF
    • Vishay IRL640SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay IRL640SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Renesas Electronics Operationsverstärker THT PDIP, einzeln typ.

    Renesas Electronics Operationsverstärker THT PDIP, einzeln typ.

    3 → 15 V, biplor typ.95mm, MPN: ICL7621DCPAZ.: +70 °C, Rail to Rail: Nein, Spannungsverstärkung typ.: 480kHz, Flankensteilheit typ.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Verstärker und Komparatoren
  • Operationsverstärker
  • Renesas Electronics
    • Lovato Endschalter, Stößel, SPST-NC, SPST-NO, Schließer/Öffner, IP20, IP65, Thermoplast, 10A Anschluss 1/2 in NPT

    Lovato Endschalter, Stößel, SPST-NC, SPST-NO, Schließer/Öffner, IP20, IP65, Thermoplast, 10A Anschluss 1/2 in NPT

    ): 690V, Schaltfunktion: Sprungkontakt, Länge: 30mm, Betriebstemperatur max.5mm, Lebensdauer mechanisch: 10000000Cycles, MPN: KBA1S11.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Endschalter und Positionsschalter
  • Endschalter
  • Lovato
    • Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : –16 V, +16 V, Höhe: 2.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Lovato Endschalter, Stößel, SPST-NC, SPST-NO, Schließer/Öffner, IP20, IP65, Thermoplast, 10A Anschluss 1/2 in NPT

    Lovato Endschalter, Stößel, SPST-NC, SPST-NO, Schließer/Öffner, IP20, IP65, Thermoplast, 10A Anschluss 1/2 in NPT

    Lovato Endschalter, Stößel, SPST-NC, SPST-NO, Schließer/Öffner, IP20, IP65, Thermoplast, 10A Anschluss 1/2 in NPT, Wechselspannung (max.5mm, Lebensdauer mechanisch: 10000000Cycles, MPN: KBA1S11.: -25°C, Breite: 74.: +70°C, Betriebstemperatur min.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Endschalter und Positionsschalter
  • Endschalter
  • Lovato
    • Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET IRLR3410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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