IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

Name: IXYS - IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand Max.: 40 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Brand: IXYS
SKU: CAWX-12335
Price: 475.31 EUR
Availability: InStock

About The : 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

TE Connectivity Bewegungssensormodul 3-Achsen SMD Beschleunigungsmesser

Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.5, ± 1 % / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse

RS PRO Sub-D Gehäuse gerade, 15-polig, D: Sub-D Gehäuse, Schwarz, Größe A, aus Nylon

Intelligent LED Solutions ILS, Powerchip-LED Neutralweiß 4,5 lm-Typ, 4000K 0,45W

IXYS IGBT / 340 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal

Molex Flachbandkabel FFC, 6-adrig, Raster 0.5mm

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

Weller T0051352299 Lötzubehör Lötzubehör

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