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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si7454FDP-T1-RE3.: 2

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0295 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si7454FDP-T1-RE3

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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Samtec TSW Stiftleiste Gerade, 10-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Platine-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 4.3A, Nicht

Samtec TSW Stiftleiste Gerade, 10-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Platine-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 4.3A, Nicht

3A, Nicht, Ummantelt/Nicht ummantelt: Nicht ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, Anschlagstiftlänge: 7.

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    • Amphenol Advanced Sensors Thermistor

    Amphenol Advanced Sensors Thermistor

    ): +175°C, Reaktionszeit: 110 s.

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    • Lapp Einzeladerleitung 1 mm², 17 AWG 100m Schwarz PVC isoliert Ø 2.9mm UL1015

    Lapp Einzeladerleitung 1 mm², 17 AWG 100m Schwarz PVC isoliert Ø 2.9mm UL1015

    9mm UL1015, Betriebsspannung: 600 V, Certification RPC: Eca, Betriebstemperatur max.: -40°C, Leitermaterial: Kupfer verzinnt, Standards: CSA, UL, Resistent gegen: Öle, MPN: 4160301.Lapp Einzeladerleitung 1 mm², 17 AWG 100m Schwarz PVC isoliert Ø 2.

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    • Gossen Metrawatt Z580B Abgreifklemme für METRISO 5000 A

    Gossen Metrawatt Z580B Abgreifklemme für METRISO 5000 A

    Gossen Metrawatt Z580B Abgreifklemme für METRISO 5000 A.

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    • Telegartner Stecker Koaxialsteckverbinder BNC-Steckverbinder, Kabelmontage, Crimp-Anschluss, für RG59 B/U-Kabel, 75Ω, ,

    Telegartner Stecker Koaxialsteckverbinder BNC-Steckverbinder, Kabelmontage, Crimp-Anschluss, für RG59 B/U-Kabel, 75Ω, ,

    : -65°C, Betriebstemperatur (max.): +165°C, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: J01002A1288.Telegartner Stecker Koaxialsteckverbinder BNC-Steckverbinder, Kabelmontage, Crimp-Anschluss, für RG59 B/U-Kabel, 75Ω, ,, Gehäuseausrichtung: Gerade, Trennwand: Nein, Betriebsfrequenz: 0 to 4GHz, Gehäusebeschichtung: Nickel, Betriebstemperatur min.

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    • Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, MPN: SI7469ADP-T1-RE3.

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    Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si7454FDP-T1-RE3.: 0,0295 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Laird Connectivity Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 698 → 2500 MHz, Auflagefläche, 3.7dBi, 153mm

    Laird Connectivity Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 698 → 2500 MHz, Auflagefläche, 3.7dBi, 153mm

    Laird Connectivity Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 698 → 2500 MHz, Auflagefläche, 3.7dBi, 153mm, Montageart Antenne: Leiterplatte, Serie: Revie Flex, MPN: EFF6925A3S-15MHF1.

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    Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si7454FDP-T1-RE3.: 0,0295 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    Laird Connectivity Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 698 → 2500 MHz, Auflagefläche, 3.7dBi, 153mm, Montageart Antenne: Leiterplatte, Serie: Revie Flex, MPN: EFF6925A3S-15MHF1.

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