reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C

Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
More Varieties

Rating :- 9.36 /10
Votes :- 10