Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 4,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN | |
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