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Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 MW, 3-Pin TO-247AC

About The Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C

Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 MW, 3-Pin TO-247AC

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Specifications of Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 MW, 3-Pin TO-247AC

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Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 MW, 3-Pin TO-247AC
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Renesas Electronics Leitungstransceiver Bus Transceiver CMOS Non-Inverting 8-Pin SOIC

Renesas Electronics Leitungstransceiver Bus Transceiver CMOS Non-Inverting 8-Pin SOIC

Renesas Electronics Leitungstransceiver Bus Transceiver CMOS Non-Inverting 8-Pin SOIC, MPN: ISL8485IBZ-T.

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    Renesas Electronics Leitungstransceiver Bus Transceiver CMOS Non-Inverting 8-Pin SOIC

    Renesas Electronics Leitungstransceiver Bus Transceiver CMOS Non-Inverting 8-Pin SOIC, Eingangs-Typ: Tri-State, MPN: ISL8485IBZ-T.

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    • Murata LQW21FT_0H SMD Induktivität Drosselspule, 470 nH 1A AEC-Q200 mit Ferritkern-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%

    Murata LQW21FT_0H SMD Induktivität Drosselspule, 470 nH 1A AEC-Q200 mit Ferritkern-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%

    Murata LQW21FT_0H SMD Induktivität Drosselspule, 470 nH 1A AEC-Q200 mit Ferritkern-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, Tiefe: 1.

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    • EOS Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 4A 60W, EIN 180 → 264 V ac, 90 → 132 V ac Offene Bauform, Gehäusemontage

    EOS Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 4A 60W, EIN 180 → 264 V ac, 90 → 132 V ac Offene Bauform, Gehäusemontage

    6mm, Breite: 51.18mm, Wirkungsgrad: 82%, Temperatur max.: +50°C, Gewicht: 150g, MPN: LFVLT60-1002.8mm, Tiefe: 27.

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    • EOS Schaltnetzteil, AUS 5.2 V dc, 12.5 V dc / 1.5 A, 8 A, 500 mA 3-Kanal 60W, EIN 180 → 264 V ac, 90 →
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  • EOS
    • TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    10.6mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 8AWG, Kontaktmaterial: Kupfer, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 24.

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  • TE Connectivity
    • TE Connectivity DG STRATO-THERM Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    TE Connectivity DG STRATO-THERM Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    6.33mm, MPN: 323751 TE Connectivity DG STRATO-THERM Ringkabelschuh, Unisoliert, max.6mm², M6.

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    • Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC

    Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC

    87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • TE Connectivity DG STRATO-THERM Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    TE Connectivity DG STRATO-THERM Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    6mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 10AWG, Minimale Drahtgröße (AWG): 12AWG, Kontaktmaterial: Nickel, Gesamtlänge: 32.6.6mm², M6.

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    Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC

    Vishay IRFP23N50LPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.

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