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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STD2N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STD2N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.4mm

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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STD2N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STD2N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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