reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.46 /10
Votes :- 6
Polamco 91 Rundsteckverbinder Rückgehäuse, Gerade, Gr.

Polamco 91 Rundsteckverbinder Rückgehäuse, Gerade, Gr.

34mm, 34mm,, Gehäusematerial: Aluminiumlegierung, Gewindegröße: UNEF 1-1/16-18, MPN: 91D1-18-12-1-ZB.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Rundsteckverbinder
  • Rundsteckverbinder-Gehäuse
  • Polamco
    • SMC Fuß L5040 für 40mm

    SMC Fuß L5040 für 40mm

    SMC Fuß L5040 für 40mm.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatik Zylinder und Antriebe
  • Pneumatisches Zylinder- und Antriebszubehör
  • SMC
    • DiodesZetex Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin

    DiodesZetex Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin

    DiodesZetex Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin, MPN: MMBD914-7-F.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schaltdioden
  • DiodesZetex
    • RS PRO Filterplatte, Typ Panel, 368 x 368 x 45mm ISO-C

    RS PRO Filterplatte, Typ Panel, 368 x 368 x 45mm ISO-C

    ): 15 x 15 x 2Zoll.RS PRO Filterplatte, Typ Panel, 368 x 368 x 45mm ISO-C, Abmessungen (nom.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Heizung & Lüftung & Klimatechnik
  • Klimaanlagen- und Heizungszubehör
  • Klimageräte Filter
  • RS PRO
    • Siemens SIRIUS Direktstarter 1, 3-phasig 60 W, 690 V AC / 0,2 A

    Siemens SIRIUS Direktstarter 1, 3-phasig 60 W, 690 V AC / 0,2 A

    Siemens SIRIUS Direktstarter 1, 3-phasig 60 W, 690 V AC / 0,2 A, IP Schutzart: IP20, MPN: 3RA2110-0CE15-1BB4.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Elektromotoren
  • Motorstarter
  • Siemens
    • Gates Quad Power 4 Antriebsriemen, XPB/5VX-Profil 16mm x 13mm x 1950mm

    Gates Quad Power 4 Antriebsriemen, XPB/5VX-Profil 16mm x 13mm x 1950mm

    Gates Quad Power 4 Antriebsriemen, XPB/5VX-Profil 16mm x 13mm x 1950mm, MPN: 9645-01950.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Mechanische Kraftübertragung
  • Riemen und Riemenscheiben
  • V- und Keilriemen
  • Gates
    • Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

    Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

    Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

    Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

    : 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

    Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

    Infineon HEXFET IRFB4115PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon HEXFET IRFB4228PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon