Infineon HEXFET IRL7833STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Infineon HEXFET IRL7833STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET IRL7833STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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