Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23 | |
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