Vishay SI2302DDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 0,71 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.85V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay SI2302DDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 0,71 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay SI2302DDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 0,71 W, 3-Pin SOT-23 | |
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