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BALLUFF BES M8 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 →30 V Dc, Zylindrisch 2mm, IP67

About The : +70°C, MPN: BES M08MG1-PSC20A-S04G-W.BALLUFF BES M8 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 →30 V dc, zylindrisch 2mm, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M8 x 1, Anschlusstyp: M12-Steckverbinder, Länge: 65mm, Schaltfrequenz: 1000 Hz, Breite: 8mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Messing, PTFE-beschichtet, Betriebstemperatur max

BALLUFF BES M8 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 →30 V dc, zylindrisch 2mm, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M8 x 1, Anschlusstyp: M12-Steckverbinder, Länge: 65mm, Schaltfrequenz: 1000 Hz, Breite: 8mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Messing, PTFE-beschichtet, Betriebstemperatur max.: +70°C, MPN: BES M08MG1-PSC20A-S04G-W

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BALLUFF BES M8 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 →30 V Dc, Zylindrisch 2mm, IP67

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Specifications of BALLUFF BES M8 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 →30 V Dc, Zylindrisch 2mm, IP67

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SMC AS G 1/4 Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 4mm

SMC AS G 1/4 Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 4mm

SMC AS G 1/4 Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 4mm, MPN: 00002390.

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    • Keysight Technologies Keysight MSOX3014A Mixed-Signal Tisch Oszilloskop 4-Kanal Analog / 16 Digital 100MHz CAN, IIC, LIN, RS232, RS422,

    Keysight Technologies Keysight MSOX3014A Mixed-Signal Tisch Oszilloskop 4-Kanal Analog / 16 Digital 100MHz CAN, IIC, LIN, RS232, RS422,

    : 5ns/div, Display Größe: 8.5Zoll, Zufalls-Abtastrate: 2 GS/s, 4 GS/s, MPN: MSOX3014T.: 1mV/div, Vertikalempfindlichkeit max.: 5V/div, Zeitbasis min.

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    Keysight Technologies Keysight MSOX3022T Mixed-Signal Tisch Oszilloskop 2-Kanal Analog / 16 Digital 200MHz CAN, IIC, LIN, RS232, RS422,

    : 2ns/div, Display Größe: 8.5Zoll, Zufalls-Abtastrate: 5 GS/s, Abmessungen: 142 x 381 x 204mm.: 1mV/div, Zeitbasis min.

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    • IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

    IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

    : 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: ±30 V, Länge: 20.

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    • IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

    IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

    : 3.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.

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