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IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 KW, 3-Pin PLUS264

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C

IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 20.29mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 KW, 3-Pin PLUS264

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Specifications of IXYS HiperFET IXFB90N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 KW, 3-Pin PLUS264

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Festo VUVG 574373, G1/8 Magnetventil, Elektrisch-betätigt

Festo VUVG 574373, G1/8 Magnetventil, Elektrisch-betätigt

Festo VUVG 574373, G1/8 Magnetventil, Elektrisch-betätigt, Funktion: 2x3/2 Closed, Monostable, Montageart: Verteiler, MPN: VUVG-L14-T32U-MZT-G18-1P3.

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    SMC AS R1/8 Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 6mm, Eingangsanschluss Typ: Mit Gewinde, MPN: 00992562.

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    Core Ltd GR-PEACH (Normal) MCU Development Board ARM Cortex A9 R7S721001VLBG, Name der Prozessorfamilie: RZ/A1H, Prozessortyp: MPU, MPN: YGRPEACHNORMAL.

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