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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

About The : 4.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: R8009KNXC7G

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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

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Specifications of ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

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Diskrete Halbleiter

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Vishay 293D Kondensator, Tantal, 47μF, 25V dc SMD, ±10%, Gehäuse 7343-31, +125°C, AEC-Q200
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Tantal Elektrolytkondensator
  • Vishay
    • Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal

    Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal

    : –40 °C, MPN: FS150R12KT4.: +150 °C, Betriebstemperatur min.

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  • IGBT
  • Infineon
    • Renesas Electronics Operationsverstärker RRIO-Operationsverstärker SMD R-R SOT-23, einzeln typ.

    Renesas Electronics Operationsverstärker RRIO-Operationsverstärker SMD R-R SOT-23, einzeln typ.

    1,8→ 5,5 V,, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: +70 °C, Eingangsspannung max. 1,8→ 5,5 V,.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Verstärker und Komparatoren
  • Operationsverstärker
  • Renesas Electronics
    • Renesas Electronics Operationsverstärker RRIO-Operationsverstärker SMD R-R SOT-23, einzeln typ.
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  • Operationsverstärker
  • Renesas Electronics
    • Microchip MCP73x23 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Lithium Iron Phosphate Battery Charger Evaluation Board

    Microchip MCP73x23 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Lithium Iron Phosphate Battery Charger Evaluation Board

    Microchip MCP73x23 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Lithium Iron Phosphate Battery Charger Evaluation Board, Funktion für Stromüberwachungseinheiten: Akkuladegerät, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: MCP73X23EV-LFP.

  • Microchip
    • SAM 1/4Zoll Druckluft-Nietpistole für Nieten bis 4,8 mm

    SAM 1/4Zoll Druckluft-Nietpistole für Nieten bis 4,8 mm

    SAM 1/4Zoll Druckluft-Nietpistole für Nieten bis 4,8 mm, Länge: 275mm, Gewicht: 1.7kg, MPN: 1845-90.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Elektrowerkzeuge Löten & Schweißen
  • Druckluftwerkzeuge
  • Druckluft-Nietpistolen
  • SAM
    • ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

    ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

    ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: R8009KNXC7G.: 4.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN

    Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN

    : +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Stromversorgungs-Typ: Single, MPN: ISL4223EIRZ-T7A.Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN, Interface: Leitungstransceiver-IC, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 5 x 5 x 0.

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  • Schnittstellen
  • Leitungs Schnittstellen-ICs
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    • ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

    ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 9 A, 3-Pin TO-220FM

    5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: R8009KNXC7G.: 4.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN

    Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN

    : +85 °C, Betriebstemperatur min.95mm, Betriebstemperatur max.Renesas Electronics Leitungstransceiver 20-Pin QFN, Interface: Leitungstransceiver-IC, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 5 x 5 x 0.

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