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Infineon IPB64N25S3-20 IPB64N25S320ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.Infineon IPB64N25S3-20 IPB64N25S320ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Infineon IPB64N25S3-20 IPB64N25S320ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Infineon IPB64N25S3-20 IPB64N25S320ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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