Infineon OptiMOS 5 ISZ0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0169 O, 0,0219 O, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS 5 ISZ0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
Specifications of Infineon OptiMOS 5 ISZ0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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