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Infineon BCR133E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-23 3-Pin

About The : 0,3 V, Basis-Emitter Spannung max.: 200 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max

Infineon BCR133E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin, Eingangswiderstand typ.: 10 kΩ, Gleichstromverstärkung min.: 30, Verlustleistung max.: 200 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,3 V, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm

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Infineon BCR133E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-23 3-Pin

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Specifications of Infineon BCR133E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-23 3-Pin

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Infineon BCR133E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-23 3-Pin
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