onsemi NVMJS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
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Onsemi NVMJS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK8
Specifications of Onsemi NVMJS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK8 | |
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