ROHM QH8MA2 QH8MA2TCR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 3 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 115 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM QH8MA2 QH8MA2TCR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 3 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
Specifications of ROHM QH8MA2 QH8MA2TCR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 3 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8 | |
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