STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247

Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 1000mW, 940nm, 360mW/sr, SMD, MPN: 15427294BA242.

54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 1.0A, MPN: 09185166913.HARTING SEK 18 Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 16-polig / 2-reihig, Raster 2.

Dormer A101 HSS Spiralbohrer 10mm x 133 mm, Anschliffwinkel 118°, MPN: 5968072.

: -5°C, Betriebstemperatur (max.): +40°C, MPN: 1SNA125118R1300.Entrelec SNA Reihenklemmenblock Einfach Blau, 6mm², 1 kV ac / 41A, Anschlussart: Schrauben, Raster: 8mm, Betriebstemperatur min.

Entrelec SNA Reihenklemmenblock Einfach Blau, 4mm², 800 V ac / 32A, Schraubanschluss, Anschlussart: Schrauben, Raster: 6mm, Betriebstemperatur min.

65mm, Arbeitsspannnung max.Microchip CAP1298 Kapazitiv Kapazitiver Berührungssensor, 400 kHz, SOIC 14-Pin, Ausgangsspannung max.

: 0,072 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.

Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 450mW, 850nm, 160mW/sr, SMD, MPN: 15427285BA240.

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.: 3.: 0,072 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 450mW, 850nm, 160mW/sr, SMD, MPN: 15427285BA240.