Vishay IRF840ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
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Vishay IRF840ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay IRF840ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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