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IXYS Trench IXTH110N25T N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247

About The 26mm, Betriebstemperatur max.: 3V, Gate-Source Spannung max

IXYS Trench IXTH110N25T N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS Trench IXTH110N25T N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS Trench IXTH110N25T N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247

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IXYS Trench IXTH110N25T N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247
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