Infineon OptiMOS 3 BSO220N03MDGXUMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A 2 W, 8-Pin DSO, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.65mm
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Infineon OptiMOS 3 BSO220N03MDGXUMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A 2 W, 8-Pin DSO
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSO220N03MDGXUMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A 2 W, 8-Pin DSO | |
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