reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual

About The : 0,0059 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual, Drain-Source-Widerstand max

Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0059 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5 → 2.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual
More Varieties

Rating :- 9.48 /10
Votes :- 7