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Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V Bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

About The 05mm, MPN: CY7C1061GE30-10ZSXI.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 22

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin, Organisation: 1 MB x 16 bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 22.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1061GE30-10ZSXI

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Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V Bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

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Specifications of Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V Bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

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