IXYS Linear IXTH12N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247
About The : +150 °C.IXYS Linear IXTH12N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max
IXYS Linear IXTH12N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS Linear IXTH12N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of IXYS Linear IXTH12N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247 | |
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