Infineon IRF3710ZS IRF3710ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Pinanzahl: 2 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 18 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
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Infineon IRF3710ZS IRF3710ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon IRF3710ZS IRF3710ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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