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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP3N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 60 W, 3-Pin TO-220

About The 75mm.: +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 15

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP3N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 60 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 15.75mm

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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP3N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 60 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP3N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 60 W, 3-Pin TO-220

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