Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323
Specifications of Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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