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Onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB

About The onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Onsemi QFET FQP13N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12,8 A 65 W, 3-Pin TO-220AB

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