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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020

About The .DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max

DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 0,13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Werkstoff: Si

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DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020

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Specifications of DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020

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HARTING Han B Steckverbinder-Haube, IP65

HARTING Han B Steckverbinder-Haube, IP65

HARTING Han B Steckverbinder-Haube, IP65, Größe: 16B, Seriennummer: 930, MPN: 09300160801.

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  • HARTING
    • KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RN73R1JTTD1100B25.KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.

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  • KOA
    • KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RN73R1JTTD1102B25.

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    • KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

    KOA Metallschicht SMD-Widerstand ±0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RN73R1JTTD1300B25.1% / 0.

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  • KOA
    • TE Connectivity Eurocard C2 DIN 41612-Steckverbinder Buchse Gerade, 96-polig / 3-reihig, Raster 2.54mm Lötanschluss

    TE Connectivity Eurocard C2 DIN 41612-Steckverbinder Buchse Gerade, 96-polig / 3-reihig, Raster 2.54mm Lötanschluss

    ): +125°C, MPN: 5535032-4.TE Connectivity Eurocard C2 DIN 41612-Steckverbinder Buchse Gerade, 96-polig / 3-reihig, Raster 2.

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  • Backplane & Rack Steckverbinder
  • DIN 41612 Steckverbinder
  • TE Connectivity
    • Vishay MMU0102 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.3Ω ±2% / 0.3W ±50ppm/K, Melf 0102 Gehäuse

    Vishay MMU0102 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.3Ω ±2% / 0.3W ±50ppm/K, Melf 0102 Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: MMU01020C3308GB300.

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    • DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    • DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020

    DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020

    : 0,13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Werkstoff: Si.DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.

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    • DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    : 3V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,0016 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.DiodesZetex DMT4001 DMT4001LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    DiodesZetex DMP6110 DMP6110SFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,2 A, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 0,13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Werkstoff: Si.

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