Nexperia BSH111BK BSH111BKR N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 335 mA 1,45 W, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 8,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 10 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Nexperia BSH111BK BSH111BKR N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 335 MA 1,45 W, 3-Pin TO-236
Specifications of Nexperia BSH111BK BSH111BKR N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 335 MA 1,45 W, 3-Pin TO-236 | |
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