Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 77,4 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0079 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR570DP-T1-RE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 77,4 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 77,4 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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