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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

About The 2mm.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2

Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm

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Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

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Specifications of Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

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Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323
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Halbleiter
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Siemens Trennschalter 4-polig 200A DIN-Schiene IP00, IP20 110kW

Siemens Trennschalter 4-polig 200A DIN-Schiene IP00, IP20 110kW

Siemens Trennschalter 4-polig 200A DIN-Schiene IP00, IP20 110kW, MPN: 3KD36440NE400.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Trennschalter und Zubehör
  • Trennschalter
  • Siemens
    • Telemecanique Sensors M30 Näherungssensor PNP 10 → 58 V dc, 12 → 48 V dc / 15 mA, 200 mA, zylindrisch

    Telemecanique Sensors M30 Näherungssensor PNP 10 → 58 V dc, 12 → 48 V dc / 15 mA, 200 mA, zylindrisch

    : +70°C, Schaltfrequenz max.: 100Hz, MPN: XSAV11373L10.55mm, Gleichspannung max.: 48 V, 58V, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Messing vernickelt, PPS, Betriebstemperatur max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Näherungsschalter
  • Telemecanique Sensors
    • EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 60A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage

    EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 60A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage

    EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 60A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60Hz, Länge: 250mm, Tiefe: 85mm, Höhe: 120mm, Abmessungen: 250 x 85 x 120mm, Betriebstemperatur min.: +100°C, MPN: B84243A8060W000.: -25°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • EMV-Filter und -Schutz
  • Netzfilter
  • EPCOS
    • EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 8A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage Zustände

    EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 8A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage Zustände

    : -25°C, Betriebstemperatur max.EPCOS B84243-A Entstörfilter, 530 V ac, 8A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 4,8 mA / 50Hz Single Stage Zustände, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60 Hz, Länge: 190mm, Tiefe: 40mm, Höhe: 95mm, Abmessungen: 190 x 40 x 95mm, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • EMV-Filter und -Schutz
  • Netzfilter
  • EPCOS
    • Molex 502579 Crimpkontakt für CLIK-Mate-Gehäuse 502578, Stecker, Crimp oder Quetschanschluss

    Molex 502579 Crimpkontakt für CLIK-Mate-Gehäuse 502578, Stecker, Crimp oder Quetschanschluss

    Molex 502579 Crimpkontakt für CLIK-Mate-Gehäuse 502578, Stecker, Crimp oder Quetschanschluss, MPN: 502579-0100.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Crimpkontakte
  • Molex
    • Infineon IGBT-Modul / 140 A ±20V max.

    Infineon IGBT-Modul / 140 A ±20V max.

    6-fach, 1200 V 480 W, MPN: FS100R12KE3BOSA1 Infineon IGBT-Modul / 140 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 480 W.

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  • IGBT
  • Infineon
    • Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

    Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

    2mm.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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  • MOSFET
  • Vishay
    • Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max.

    Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max.

    6-fach, 1200 V 11 kW EconoPACK.

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  • IGBT
  • Infineon
    • Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

    Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

    Vishay SI1330EDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.

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    • Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max.

    Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max.

    6-fach, 1200 V 11 kW EconoPACK.6-fach, 1200 V 11 kW EconoPACK, MPN: FS200R12PT4BOSA1 Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max.

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  • IGBT
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