onsemi UniFET FDB28N30TM N-Kanal, SMD MOSFET 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 129 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
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Onsemi UniFET FDB28N30TM N-Kanal, SMD MOSFET 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi UniFET FDB28N30TM N-Kanal, SMD MOSFET 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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