Onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
About The onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,75 W, Gleichstromverstärkung min
onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,75 W, Gleichstromverstärkung min.: 60, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: MJD45H11T4G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJD45H11G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
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