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Infineon BF998E6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 12 V / 30 MA 200 MW, 4-Pin SOT-143

About The Infineon BF998E6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 12 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin SOT-143, Gate-Schwellenspannung max.5V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon BF998E6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 12 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin SOT-143, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -2,5 V, -2 V, Höhe: 1.3mm, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Infineon BF998E6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 12 V / 30 MA 200 MW, 4-Pin SOT-143

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