STMicroelectronics E-Fuse STEF512GR N-Kanal Dual MOSFET 5 V, 12 V / 3 A; 4 A, 8-Pin TSOT23-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 15V, Transistor-Werkstoff: Si
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STMicroelectronics E-Fuse STEF512GR N-Kanal Dual MOSFET 5 V, 12 V / 3 A; 4 A, 8-Pin TSOT23-8L
Specifications of STMicroelectronics E-Fuse STEF512GR N-Kanal Dual MOSFET 5 V, 12 V / 3 A; 4 A, 8-Pin TSOT23-8L | |
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