onsemi NCV8406BDTRKGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Dauer-Drainstrom max.: 7 A (typ., Drain-Source-Widerstand max.: 210 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±14 V dc, Automobilstandard: AEC-Q101
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Onsemi NCV8406BDTRKGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi NCV8406BDTRKGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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