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Vishay IRFBF30PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay IRFBF30PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Vishay IRFBF30PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay IRFBF30PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Vishay IRFBF30PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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