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IXYS HiperFET, Polar IXFN80N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFN80N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227, Gehäusegröße: SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Polar IXFN80N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227, Gehäusegröße: SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.6mm, Länge: 38.2mm

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFN80N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

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