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EPCOS SIMID Drosselspule, 33 μH 840mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 11MHz

About The 6mm / ±10%, 11MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.EPCOS SIMID Drosselspule, 33 μH 840mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5

EPCOS SIMID Drosselspule, 33 μH 840mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 11MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.6 x 5 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 360mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1333K000

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Specifications of EPCOS SIMID Drosselspule, 33 μH 840mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 11MHz

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    2mm, Länge: 19.6mm, Temperatur max.Recom RB DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, 12V dc OUT / 84mA 500V ac isoliert, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Tiefe: 10.

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    71mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 25A, MPN: 1N5819RL.STMicroelectronics THT Schottky Diode, 40V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Durchmesser: 2.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 33 μH 840mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 11MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.

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