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EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.26A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 16MHz

About The EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.26A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5

EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.26A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 16MHz, MPN: B82442T1153K000

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EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.26A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 16MHz

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Specifications of EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.26A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 16MHz

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Texas Instruments 12-Bit ADC ADS8028IRTJT Octal, 1Msps QFN, 20-Pin
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    WIKA Zeigerthermometer Rundes Ziffernblatt, -50 → 50 °C, Skalen-Ø 5Zoll, Genauigkeit max.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 2,2 mH 100mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 1.2MHz

    6mm / ±10%, 1.2MHz, MPN: B82442T1225K000.EPCOS SIMID Drosselspule, 2,2 mH 100mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.

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    • Texas Instruments DC/DC-Wandler 1A 6 V Buck Controller 0,8 V 4,5 V / 20 V Einstellbar SMD 7-Pin

    Texas Instruments DC/DC-Wandler 1A 6 V Buck Controller 0,8 V 4,5 V / 20 V Einstellbar SMD 7-Pin

    : 1 MHz, Gehäusegröße: TO-PMOD, Schaltregler: Ja, Line-Regulation: 0,01 %, Load-Regulation: 1,5 mV/A, MPN: LMZ12001TZE-ADJ/NOPB.Texas Instruments DC/DC-Wandler 1A 6 V Buck Controller 0,8 V 4,5 V / 20 V Einstellbar SMD 7-Pin, Schaltfrequenz max.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 1,5 mH 130mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 1.5MHz

    9Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1155K000.: 14.6 x 5 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 150 μH 410mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 4.6MHz

    6mm / ±10%, 4.EPCOS SIMID Drosselspule, 150 μH 410mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.

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    6mm / ±10%, 16MHz, MPN: B82442T1153K000.EPCOS SIMID Drosselspule, 15 μH 1.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 120 μH 440mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.29Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1124K000.6mm / ±10%, 5.3MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.

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    6mm / ±10%, 16MHz, MPN: B82442T1153K000.26A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 120 μH 440mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 5.3MHz

    3MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.6 x 5 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.29Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: B82442T1124K000.: 1.

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