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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

About The 3V.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V

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Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Rating :- 9.26 /10
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KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 10μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1210 (3225M)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • KEMET
    • Vishay Schaltdiode Einfach 1A 1 Element/Chip THT 1000V DO-204AL 2-Pin 1.3V
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  • Schaltdioden
  • Vishay
    • RS PRO Wand Analog, Uhr, Ø 310mm,, , Splitterfrei, Schwarz

    RS PRO Wand Analog, Uhr, Ø 310mm,, , Splitterfrei, Schwarz

    RS PRO Wand Analog, Uhr, Ø 310mm,, , Splitterfrei, Schwarz, Funkgesteuert: Nein, Splitterfrei: Ja, Stromversorgung: Batterie, Batterietyp: AA.

  • PSA & Sicherheit & Test und IT
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    • KOA HV73 Dickschicht SMD-Widerstand 5.6MΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    KOA HV73 Dickschicht SMD-Widerstand 5.6MΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    25W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±100ч/млн/°C, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: HV732ATTD5604F.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • SMD-Widerstände
  • KOA
    • KOA PSG4,, AEC-Q200 Metallstreifen SMD-Widerstand 500μΩ ±1% / 10W ±50ppm/°C, 2725 Gehäuse

    KOA PSG4,, AEC-Q200 Metallstreifen SMD-Widerstand 500μΩ ±1% / 10W ±50ppm/°C, 2725 Gehäuse

    : -65°C, Betriebstemperatur max.KOA PSG4,, AEC-Q200 Metallstreifen SMD-Widerstand 500μΩ ±1% / 10W ±50ppm/°C, 2725 Gehäuse, Widerstand: 500µΩ, Temperaturkoeffizient: ±50ч/млн/°C, Betriebstemperatur min.

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  • KOA
    • Genteq GEM III PB Folienkondensator 7.5μF ±6% / 370V ac Raster 20.57mm
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    • Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67

    Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67

    : 30V, MPN: 6066176.Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M18 x 1, Anschlusstyp: 5-poliger M12-Steckverbinder, Kommunikationsprotokoll: IO-LINK, Länge: 52.

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    • Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    3V.Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.

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    • Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67

    Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67

    : 30V, MPN: 6066176.Sick UM18 M18 Ultraschallsensor PNP/NPN 10 → 30 V dc / 100 mA, zylindrisch 65 → 600 mm, IP65, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M18 x 1, Anschlusstyp: 5-poliger M12-Steckverbinder, Kommunikationsprotokoll: IO-LINK, Länge: 52.7mm, Schaltfrequenz: 12 Hz, Breite: 18mm, Gleichspannung max.

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