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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Nexperia PBSS5220T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

About The 4mm, Höhe: 1mm.: 5 V, Abmessungen: 1 x 3 x 1

Nexperia PBSS5220T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Verlustleistung max.: 480 mW, Gleichstromverstärkung min.: 150, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 1 x 3 x 1.4mm, Höhe: 1mm

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Specifications of Nexperia PBSS5220T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

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Amphenol Socapex, 2M805 MIL-Rundsteckverbinder, Stecker, 20-polig, 750 V, Kabelmontage, Gehäuse 15

Amphenol Socapex, 2M805 MIL-Rundsteckverbinder, Stecker, 20-polig, 750 V, Kabelmontage, Gehäuse 15

5A, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: 2M80500116M15220PA.

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    • Nexperia PBSS5540X,135 SMD, PNP Transistor –40 V / -4 A 60 MHz, UPAK 4-Pin

    Nexperia PBSS5540X,135 SMD, PNP Transistor –40 V / -4 A 60 MHz, UPAK 4-Pin

    Nexperia PBSS5540X,135 SMD, PNP Transistor –40 V / -4 A 60 MHz, UPAK 4-Pin, Verlustleistung max.

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  • Nexperia
    • KYOCERA AVX TPS Kondensator, Elektrolyt, 68μF, 10V dc SMD, 2.9mm, ±10%, Gehäuse 6032-28, +125°C

    KYOCERA AVX TPS Kondensator, Elektrolyt, 68μF, 10V dc SMD, 2.9mm, ±10%, Gehäuse 6032-28, +125°C

    6mm, Abmessungen: 6 x 3.6mm, Elektrolyt-Typ: Fest, MPN: TPSC686K010R0300.2mm, Höhe: 2.

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  • Kondensatoren
  • Tantal Elektrolytkondensator
  • KYOCERA AVX
    • Panasonic ERJ, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    Panasonic ERJ, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    Panasonic ERJ, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: ERJ3EKF2003V.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Panasonic
    • Murata LQW18A_00 Drosselspule, 12 nH 600mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±2%, 6GHz
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  • SMD-Induktivität
  • Murata
    • Nexperia PSMN045-80YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 24 A 56 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    Nexperia PSMN045-80YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 24 A 56 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    : 72 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.Nexperia PSMN045-80YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 24 A 56 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.

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    Festo Durchflussregler, 0 → 10V

    Festo Durchflussregler, 0 → 10V, Betriebstemperatur (min.): 0°C, Betriebstemperatur (max.

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    Nexperia PBSS5220T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Verlustleistung max.4mm, Höhe: 1mm.: 150, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.

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    Festo Durchflussregler, 0 → 10V, Betriebstemperatur (min.

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