Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 0,5 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
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Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin TO-236
Specifications of Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin TO-236 | |
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