reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

About The 4mm, Länge: 10.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 2

Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 2.4mm, Länge: 10.58mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
More Varieties

Rating :- 9.5 /10
Votes :- 9