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Infineon OptiMOS 5 BSC028N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

About The Infineon OptiMOS 5 BSC028N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1

Infineon OptiMOS 5 BSC028N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm

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Infineon OptiMOS 5 BSC028N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 BSC028N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

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