Microchip DN2625DK6-G N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 1,1 A, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 Ω, Channel-Modus: Depletion, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.8V, Höhe: 0.85mm, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Microchip DN2625DK6-G N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 1,1 A, 8-Pin DFN
Specifications of Microchip DN2625DK6-G N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 1,1 A, 8-Pin DFN | |
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