Vishay TrenchFET SIRA14DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 58 A 31,2 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Höhe: 1.12mm, Länge: 6.25mm
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Vishay TrenchFET SIRA14DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 58 A 31,2 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET SIRA14DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 58 A 31,2 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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